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onsemi
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Feature
- High density cell design for extremely low RDS(ON).
- Voltage controlled small signal switch.
- Rugged and Reliable.
- High saturation current capability.
Applications
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- Power MOSFET Gate Drivers
運費
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- 2. 包裹重量≤0.5kg的基本運費根據時區和國家而定。
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2
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真空包裝
3
步驟 3
防靜電袋
4
步驟 4
個別包裝
5
步驟 5
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6
步驟 6
條碼運送標籤
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常見問題解答:
Q: 芯能王電子有限公司如何確保2N7002LT3是由真正製造或分銷的？
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Q: 2N7002LT3的退貨或更換過程是怎樣的？
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Q: 我如何獲得支持或請求2N7002LT3的數據表和引腳圖？
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產品屬性
| 類型 | 描述 | 全選 |
|---|---|---|
| 包裝 | 卷帶（TR） | |
| 產品狀態 | 停產 | |
| FET 類型 | N 通道 | |
| 技術 | MOSFET（金屬氧化物） | |
| 漏源電壓（Vdss） | 60 V | |
| 25°C 時電流 - 連續漏極 (Id) | 115mA（Tc） | |
| 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） | 5V，10V | |
| 不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值） | 7.5 歐姆 @ 500mA，10V | |
| 不同 Id 時 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA | |
| Vgs（最大值） | ±20V | |
| 不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值） | 50 pF @ 25 V | |
| 功率耗散（最大值） | 225mW（Ta） | |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | |
| 安裝類型 | 表面貼裝型 | |
| 供應商器件封裝 | SOT-23-3（TO-236） | |
| 封裝/外殼 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
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