FQD7N10LTF

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對比
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FQD7N10LTF
MOSFET N-CH 100V 5.8A DPAK
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¥8.00

價格更新:一個月前
現貨供應: 1627
45
為45個國家的客戶提供服務
1000+
全球製造商
$140M
5年增長1.4億美元
50.0M+
5年內配送了5000萬個元件
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onsemi 正在推動節能創新,幫助客户減少全球能源使用。 該公司提供全面的節能電源和信號管理、邏輯、分立和定製解決方案組合,幫助設計工程師解決他們在汽車、通信、計算、消費、工業、LED 照明、醫療、軍事/航空航天和電源領域的獨特設計挑戰 供應應用。 onsemi 在北美、歐洲和亞太地區的主要市場運營響應迅速、可靠、世界一流的供應鏈和質量計劃,以及製造設施、銷售辦事處和設計中心網絡。

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FQD7N10LTF Products
This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using a proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, audio amplifier, DC motor control, and variable switching power applications.

Feature

  • 5.8A, 100V, RDS(on)= 350mΩ(Max.) @VGS = 10 V, ID = 2.9A
  • Low gate charge ( Typ. 4.6nC)
  • Low Crss ( Typ. 12pF)
  • 100% avalanche tested

Applications

  • LED TV
  • Lighting

產品屬性

類型 描述 全選
系列 QFET®
包裝 卷帶(TR)
產品狀態 停產
FET 類型 N 通道
技術 MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 100 V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id) 5.8A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 5V,10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值) 350 毫歐 @ 2.9A,10V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值) 6 nC @ 5 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值) 290 pF @ 25 V
功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),25W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型 表面貼裝型
供應商器件封裝 TO-252AA
封裝/外殼 TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63

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