G785-BSS123
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G785-BSS123
MOSFET N-CH SOT23
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onsemi
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These N-Channel enhancement mode field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary,high cell density, DMOS technology. These products have been designed to minimize on-state resistance while provide rugged, reliable, and fast switching performance.
These products are particularly suited for low voltage, low current applications such as small servo motor control, power MOSFET gate drivers, and other switching applications.
Features
1. 0.17 A, 100 V. Rds(on) = 6W @ Vgs= 10 V, Rds(on) = 10W @ Vgs= 4.5 V
2. High density cell design for extremely lowRDS(ON)
3. Rugged and Reliable
4. Compact industry standard SOT-23 surface mount package
Absolute Maximum Ratings
1. Drain-Source Voltage : VDSS = 100 V
2. Gate-Source Voltage : VGSS = ±20 V
3. Maximum Power Dissipation : 0.36 W
Feature
- 0.17 A, 100 V RDS(ON) = 6 Ω @ VGS = 10 V RDS(ON) = 10 Ω @ VGS = 4.5 V
- High Density Cell Design for Extremely Low RDS(ON)
- Rugged and Reliable
- Compact Industry Standard SOT-23 Surface Mount Package
Applications
- This product is general usage and suitable for many different applications.
- Small Servo Motor Control
- powerPower MOSFET gate drivers
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產品屬性
| 類型 | 描述 | 全選 |
|---|---|---|
| 包裝 | 卷帶（TR） | |
| 產品狀態 | 停產 | |
| 場效應管類型 | N 通道 | |
| 技術 | MOSFET（金屬氧化物） | |
| 漏極至源極電壓 (Vdss) | 100 V | |
| 電流 - 連續漏極 (Id) @ 25°C | 170mA（Ta） | |
| 驅動電壓（最大 Rds 開啓，最小 Rds 開啓） | 4.5V，10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6 歐姆 @ 170mA，10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA | |
| 柵極電荷 (Qg)（最大值）@ Vgs | 2.5 nC @ 10 V | |
| 最大電壓 | ±20V | |
| 最大輸入電容 (Ciss) @ Vds | 73 pF @ 25 V | |
| 功率耗散（最大值） | 360mW（Ta） | |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | |
| 安裝類型 | 表面貼裝型 | |
| 供應商 設備封裝 | SOT-23-3（TO-236） | |
| 包裝 / 盒 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
部落格
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