NTD4857N-1G

NTD4857N-1G

對比
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NTD4857N-1G
MOSFET N-CH 25V 12A/78A IPAK
對比

¥1.71

價格更新:一個月前
現貨供應: 3819
45
為45個國家的客戶提供服務
1000+
全球製造商
$140M
5年增長1.4億美元
50.0M+
5年內配送了5000萬個元件
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onsemi 正在推動節能創新,幫助客户減少全球能源使用。 該公司提供全面的節能電源和信號管理、邏輯、分立和定製解決方案組合,幫助設計工程師解決他們在汽車、通信、計算、消費、工業、LED 照明、醫療、軍事/航空航天和電源領域的獨特設計挑戰 供應應用。 onsemi 在北美、歐洲和亞太地區的主要市場運營響應迅速、可靠、世界一流的供應鏈和質量計劃,以及製造設施、銷售辦事處和設計中心網絡。

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NTD4857N-1G Products

產品屬性

類型 描述 全選
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值) 1960 pF @ 12 V
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值) 24 nC @ 4.5 V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 250µA
不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值) 5.7 毫歐 @ 30A,10V
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
封裝/外殼 TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id) 12A(Ta),78A(Tc)
供應商器件封裝 I-PAK
漏源電壓(Vdss) 25 V
安裝類型 通孔
技術 MOSFET(金屬氧化物)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
FET 類型 N 通道
功率耗散(最大值) 1.31W(Ta),56.6W(Tc)
Vgs(最大值) ±20V
包裝 管件
產品狀態 停產

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