RFD14N05L_NL

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對比
RFD14N05L_NL
N-CHANNEL POWER MOSFET
對比

¥3.76

價格更新:一個月前
現貨供應: 4982
45
為45個國家的客戶提供服務
1000+
全球製造商
$140M
5年增長1.4億美元
50.0M+
5年內配送了5000萬個元件
Fairchild Semiconductor

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onsemi已完成對Fairchild的收購。我們共同提供更廣泛的功率分立器件、IC和功率模塊產品組合,以及整個電壓範圍內的低、中、高壓產品的完整產品組合,這意味着您的設計有更多選擇。我們共同在汽車、工業和無線等關鍵市場提供了更強大的影響力,並增加了技術和銷售支持。

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RFD14N05L_NL Products
Enhancement Mode N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

Enhancement Mode Field Effect Transistors (FET) are produced using Fairchild’s proprietary, high cell density, DMOS technology. This high density process has been designed to minimise on-state resistance, provide rugged and reliable performance and fast switching.

Feature

  • 14A, 50V
  • rDS(ON)= 0.100Ω
  • Temperature Compensating PSPICE® Model
  • Can be Driven Directly from CMOS, NMOS, andTTL Circuits
  • Peak Current vs Pulse Width Curve
  • UIS Rating Curve
  • 175°C Operating Temperature
  • Related Literature - TB334 “Guidelines for Soldering Surface MountComponents to PC Boards”

Applications

  • AC-DC Merchant Power Supply - Servers & Workstations
  • Workstation
  • Server & Mainframe

產品屬性

類型 描述 全選
包裝 散裝
產品狀態 在售
FET 類型 N 通道
技術 MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 50 V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id) 14A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 5V
不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值) 100 毫歐 @ 14A,5V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值) 40 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±10V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值) 670 pF @ 25 V
功率耗散(最大值) 48W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型 通孔
供應商器件封裝 I-PAK
封裝/外殼 TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA

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