RFD14N05L_NL datasheet
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RFD14N05L_NL Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
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查看所有産品從 Fairchild SemiconductorEnhancement Mode Field Effect Transistors (FET) are produced using Fairchild’s proprietary, high cell density, DMOS technology. This high density process has been designed to minimise on-state resistance, provide rugged and reliable performance and fast switching.
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類型 | 描述 | 全選 |
---|---|---|
包裝 | 散裝 | |
產品狀態 | 在售 | |
FET 類型 | N 通道 | |
技術 | MOSFET(金屬氧化物) | |
漏源電壓(Vdss) | 50 V | |
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id) | 14A(Tc) | |
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) | 5V | |
不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值) | 100 毫歐 @ 14A,5V | |
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA | |
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值) | 40 nC @ 10 V | |
Vgs(最大值) | ±10V | |
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值) | 670 pF @ 25 V | |
功率耗散(最大值) | 48W(Tc) | |
工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
安裝類型 | 通孔 | |
供應商器件封裝 | I-PAK | |
封裝/外殼 | TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA |
Fairchild Semiconductor
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查看所有産品從 Fairchild SemiconductorN-CHANNEL POWER MOSFET
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