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BSC082N10LSGATMA1 datasheet
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BSC082N10LSGATMA1 package
BSC082N10LSGATMA1 Infineon Technologies
BSC082N10LSGATMA1
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BSC082N10LSGATMA1
MOSFET N-CH 100V 13.8A 8TDSON
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Infineon Technologies
1999 年 4 月 1 日，西門子半導體更名為英飛凌科技。 一家充滿活力、更加靈活的公司，致力於在競爭激烈、瞬息萬變的微電子世界中取得成功。 英飛凌是全球領先的半導體設計商、製造商和供應商，產品廣泛用於各種微電子應用。 英飛凌的產品組合包括邏輯產品，包括數字、混合信號和模擬集成電路，以及分立半導體產品。
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Infineon’s OptiMOS™2 N-Channel family offers the industry's lowest on-state resistance inside their voltage group. The Power MOSFET series can be used in many applications including high frequency Telecom, Datacom, solar, low voltage drives and Server Power Supplies. The OptiMOS 2 product family ranges from 20V and over and offers a selection of different package types.
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常見問題解答:
Q: 芯能王電子有限公司如何確保BSC082N10LSGATMA1是由真正製造或分銷的？
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A: 我們對您訂單中隨機選取的批次進行發貨前檢查(PSI)，以確保發貨前的質量。如果BSC082N10LSGATMA1未能達到您的期望，在以下條件下，我們將接受退貨或更換：
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Q: 我如何獲得支持或請求BSC082N10LSGATMA1的數據表和引腳圖？
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產品屬性
| 類型 | 描述 | 全選 |
|---|---|---|
| 系列 | OptiMOS™ | |
| 包裝 | 卷帶（TR） | |
| 產品狀態 | 不適用於新設計 | |
| FET 類型 | N 通道 | |
| 技術 | MOSFET（金屬氧化物） | |
| 漏源電壓（Vdss） | 100 V | |
| 25°C 時電流 - 連續漏極 (Id) | 13.8A（Ta），100A（Tc） | |
| 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | |
| 不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值） | 8.2 毫歐 @ 100A，10V | |
| 不同 Id 時 Vgs(th)（最大值） | 2.4V @ 110µA | |
| 不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值） | 104 nC @ 10 V | |
| Vgs（最大值） | ±20V | |
| 不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值） | 7400 pF @ 50 V | |
| 功率耗散（最大值） | 156W（Tc） | |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | |
| 安裝類型 | 表面貼裝型 | |
| 供應商器件封裝 | PG-TDSON-8-1 | |
| 封裝/外殼 | 8-PowerTDFN |
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