IDK10G65C5XTMA2 datasheet
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IDK10G65C5XTMA2 Infineon Technologies
Infineon Technologies
1999 年 4 月 1 日,西門子半導體更名為英飛凌科技。 一家充滿活力、更加靈活的公司,致力於在競爭激烈、瞬息萬變的微電子世界中取得成功。 英飛凌是全球領先的半導體設計商、製造商和供應商,產品廣泛用於各種微電子應用。 英飛凌的產品組合包括邏輯產品,包括數字、混合信號和模擬集成電路,以及分立半導體產品。
查看所有産品從 Infineon TechnologiesThe CoolSiC™ Schottky diodes generation 5 600V, 2 A in a DPAK real2pin package represents our leading edge technology for SiC Schottky Barrier diodes. The Infineon proprietary diffusion soldering process, already introduced with G3, is now combined with a new, more compact design and thin wafer technology. The result is a new family of products showing improved efficiency over all load conditions, coming from both the improved thermal characteristics and a lower figure of merit (Q c x V f).
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製造商零件編號 | 價格(¥) | 現有數量 | |
---|---|---|---|
IDH10SG60CDIODE SIL CARB 600V 10A TO220-2 | 20.00 |
1371
市場 |
類型 | 描述 | 全選 |
---|---|---|
系列 | CoolSiC™+ | |
包裝 | 卷帶(TR) | |
產品狀態 | 在售 | |
技術 | SiC(Silicon Carbide)Schottky | |
電壓 - 直流反向 (Vr)(最大值) | 650 V | |
電流 - 平均整流 (Io) | 10A | |
電壓 - 正向 (Vf)(最大值)@ If | 1.8 V @ 10 A | |
速度 | 無恢復時間 > 500mA(Io) | |
反向恢復時間 (trr) | 0 ns | |
電容 @ Vr,F | 300pF @ 1V,1MHz | |
安裝類型 | 表面貼裝型 | |
包裝 / 盒 | TO-263-3,D²Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB | |
供應商 設備封裝 | PG-TO263-2 | |
工作温度 - 結點 | -55°C ~ 175°C |
Infineon Technologies
1999 年 4 月 1 日,西門子半導體更名為英飛凌科技。 一家充滿活力、更加靈活的公司,致力於在競爭激烈、瞬息萬變的微電子世界中取得成功。 英飛凌是全球領先的半導體設計商、製造商和供應商,產品廣泛用於各種微電子應用。 英飛凌的產品組合包括邏輯產品,包括數字、混合信號和模擬集成電路,以及分立半導體產品。
查看所有産品從 Infineon TechnologiesDIODE SIL CARB 650V 10A TO263-2
DIODE SCHOTTKY 70V 70MA SC79-2-1
DIODE SCHOTTKY 10V 3A SOD323-2
DIODE GEN PURP 650V 150A TO247-3
DIODE SIL CARB 650V 24A TO220-2
DIODE SIL CARB 650V 41A TO220-2
DIODE SIL CARB 650V 20A TO220-1
DIODE SIL CARB 650V 30A TO247-3
DIODE GEN PURP 100V 250MA SOT23
DIODE GEN PURP 80V 200MA SC79-2