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IRF7351TRPBF datasheet
IRF7351TRPBF pdf
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IRF7351TRPBF package
IRF7351TRPBF Infineon Technologies
IRF7351TRPBF
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IRF7351TRPBF
MOSFET 2N-CH 60V 8A 8-SOIC
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價格更新：2024-05-11
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Infineon Technologies
1999 年 4 月 1 日，西門子半導體更名為英飛凌科技。 一家充滿活力、更加靈活的公司，致力於在競爭激烈、瞬息萬變的微電子世界中取得成功。 英飛凌是全球領先的半導體設計商、製造商和供應商，產品廣泛用於各種微電子應用。 英飛凌的產品組合包括邏輯產品，包括數字、混合信號和模擬集成電路，以及分立半導體產品。
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Infineon’s dual power MOSFETs integrate two HEXFET® devices to provide space-saving, cost-effective switching solutions in high component density designs where board space is at a premium. A variety of package options is available and designers can choose the Dual N-channel configuration.
Feature
- Optimized for broadest availability from distribution partners
- Product qualification according to JEDEC standard
- Normal level : Optimized for 10 V gate drive voltage
- Industry standard surface-mount package
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- 1. 我們的產品目前使用DHL，順豐和UPS運輸。如果數量少，則選擇聯邦快遞。
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4
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5
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6
步驟 6
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A: 我們對您訂單中隨機選取的批次進行發貨前檢查(PSI)，以確保發貨前的質量。如果IRF7351TRPBF未能達到您的期望，在以下條件下，我們將接受退貨或更換：
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Q: 我如何獲得支持或請求IRF7351TRPBF的數據表和引腳圖？
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產品屬性
| 類型 | 描述 | 全選 |
|---|---|---|
| 系列 | HEXFET® | |
| 包裝 | 卷帶（TR） | |
| 產品狀態 | 在售 | |
| 技術 | MOSFET（金屬氧化物） | |
| FET 功能 | 邏輯電平門 | |
| 配置 | 2 N-通道（雙） | |
| 漏源電壓（Vdss） | 60V | |
| 25°C 時電流 - 連續漏極 (Id) | 8A | |
| 不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值） | 17.8 毫歐 @ 8A，10V | |
| 不同 Id 時 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 50µA | |
| 不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值） | 36nC @ 10V | |
| 不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值） | 1330pF @ 30V | |
| 功率 - 最大值 | 2W | |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | |
| 安裝類型 | 表面貼裝型 | |
| 封裝/外殼 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） | |
| 供應商器件封裝 | 8-SO |
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