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Infineon Technologies
1999 年 4 月 1 日，西門子半導體更名為英飛凌科技。 一家充滿活力、更加靈活的公司，致力於在競爭激烈、瞬息萬變的微電子世界中取得成功。 英飛凌是全球領先的半導體設計商、製造商和供應商，產品廣泛用於各種微電子應用。 英飛凌的產品組合包括邏輯產品，包括數字、混合信號和模擬集成電路，以及分立半導體產品。
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The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
Feature
- Optimized for broadest availability from distribution partners
- Product qualification according to JEDEC standard
- Optimized for 5V gate-drive voltage (called Logic level)
- Industry standard surface-mount package
- Capable of being wave-soldered
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| 製造商零件編號 | 價格（￥） | 現有數量 | |
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4431
市場 | |
 IRLM110ATFMOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223-4 | 面議 |
3596
市場 |
產品屬性
| 類型 | 描述 | 全選 |
|---|---|---|
| 不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值） | 382 pF @ 15 V | |
| 不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值） | 2.6 nC @ 4.5 V | |
| 不同 Id 時 Vgs(th)（最大值） | 2.3V @ 25µA | |
| 不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值） | 27 毫歐 @ 5.2A，10V | |
| 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | |
| 封裝/外殼 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | |
| 25°C 時電流 - 連續漏極 (Id) | 5.3A（Ta） | |
| 供應商器件封裝 | Micro3™/SOT-23 | |
| 漏源電壓（Vdss） | 30 V | |
| 安裝類型 | 表面貼裝型 | |
| 技術 | MOSFET（金屬氧化物） | |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | |
| FET 類型 | N 通道 | |
| 功率耗散（最大值） | 1.3W（Ta） | |
| Vgs（最大值） | ±20V | |
| 系列 | HEXFET® | |
| 包裝 | 卷帶（TR） | |
| 產品狀態 | 在售 |
部落格
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