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onsemi
onsemi 正在推動節能創新，幫助客户減少全球能源使用。 該公司提供全面的節能電源和信號管理、邏輯、分立和定製解決方案組合，幫助設計工程師解決他們在汽車、通信、計算、消費、工業、LED 照明、醫療、軍事/航空航天和電源領域的獨特設計挑戰 供應應用。 onsemi 在北美、歐洲和亞太地區的主要市場運營響應迅速、可靠、世界一流的供應鏈和質量計劃，以及製造設施、銷售辦事處和設計中心網絡。
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Feature
- RDS(on) = 30mΩ @ VGS = 4.5 V, ID = 5.7A
- RDS(on) = 40mΩ @ VGS = 2.5 V, ID = 5.0A
- Low Profile-0.8mm maximum-in the new packageMicroFET 2x2 mm
- HBM ESD protection level 2.5k V typical (Note 3)
- Free from halogenated compounds and antimony oxides
- RoHS Compliant
Applications
- This product is general usage and suitable for many different applications.
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產品屬性
| 類型 | 描述 | 全選 |
|---|---|---|
| 系列 | PowerTrench® | |
| 包裝 | 卷帶（TR） | |
| 產品狀態 | 在售 | |
| FET 類型 | N 通道 | |
| 技術 | MOSFET（金屬氧化物） | |
| 漏源電壓（Vdss） | 20 V | |
| 25°C 時電流 - 連續漏極 (Id) | 5.7A（Ta） | |
| 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，4.5V | |
| 不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值） | 30 毫歐 @ 5.7A，4.5V | |
| 不同 Id 時 Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA | |
| 不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值） | 12 nC @ 4.5 V | |
| Vgs（最大值） | ±12V | |
| 不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值） | 935 pF @ 10 V | |
| 功率耗散（最大值） | 2.4W（Ta） | |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | |
| 安裝類型 | 表面貼裝型 | |
| 供應商器件封裝 | 6-MicroFET（2x2） | |
| 封裝/外殼 | 6-WDFN 裸露焊盤 |
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