FDMC8200

FDMC8200

對比
onsemi
FDMC8200
MOSFET 2N-CH 30V 8A/12A 8POWER33
對比

¥8.50

價格更新:一個月前
現貨供應: 69000
45
為45個國家的客戶提供服務
1000+
全球製造商
$140M
5年增長1.4億美元
50.0M+
5年內配送了5000萬個元件
onsemi

onsemi

onsemi 正在推動節能創新,幫助客户減少全球能源使用。 該公司提供全面的節能電源和信號管理、邏輯、分立和定製解決方案組合,幫助設計工程師解決他們在汽車、通信、計算、消費、工業、LED 照明、醫療、軍事/航空航天和電源領域的獨特設計挑戰 供應應用。 onsemi 在北美、歐洲和亞太地區的主要市場運營響應迅速、可靠、世界一流的供應鏈和質量計劃,以及製造設施、銷售辦事處和設計中心網絡。

查看所有産品從 onsemi
FDMC8200 Products
This device includes two specialized N-channel MOSFETs in a dual Power33 (3mm x 3mm MLP) package. The switch node has been internally connected to enable easy placement and routing of synchronous buck converters. The control MOSFET (Q1) and synchronous MOSFET (Q2) have been designed to provide optimal power efficiency.

Feature

  • Q1: N-ChannelMax. RDS(on) = 20 mΩ at VGS = 10 V, ID = 6AMax. RDS(on) = 32 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 5A
  • Q2: N-ChannelMax. RDS(on) = 9.5 mΩ at VGS = 10 V, ID = 9AMax. RDS(on) = 13.5 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 7A
  • RoHS Compliant

Applications

  • This product is general usage and suitable for many different applications.

產品屬性

類型 描述 全選
封裝/外殼 8-PowerWDFN
安裝類型 表面貼裝型
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
功率 - 最大值 700mW,900mW
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值) 660pF @ 15V
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值) 10nC @ 10V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA
不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值) 20 毫歐 @ 6A,10V
FET 功能 邏輯電平門
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id) 8A,12A
漏源電壓(Vdss) 30V
配置 2 N-通道(雙)
供應商器件封裝 8-Power33(3x3)
系列 PowerTrench®
包裝 卷帶(TR)
產品狀態 在售
技術 MOSFET(金屬氧化物)

部落格

¥8.50

價格更新:一個月前
現貨供應: 69000
onsemi

onsemi

onsemi 正在推動節能創新,幫助客户減少全球能源使用。 該公司提供全面的節能電源和信號管理、邏輯、分立和定製解決方案組合,幫助設計工程師解決他們在汽車、通信、計算、消費、工業、LED 照明、醫療、軍事/航空航天和電源領域的獨特設計挑戰 供應應用。 onsemi 在北美、歐洲和亞太地區的主要市場運營響應迅速、可靠、世界一流的供應鏈和質量計劃,以及製造設施、銷售辦事處和設計中心網絡。

查看所有産品從 onsemi

部落格