FDP8030L

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對比
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FDP8030L
MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
對比

¥0.80

價格更新:一個月前
現貨供應: 100
45
為45個國家的客戶提供服務
1000+
全球製造商
$140M
5年增長1.4億美元
50.0M+
5年內配送了5000萬個元件
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onsemi 正在推動節能創新,幫助客户減少全球能源使用。 該公司提供全面的節能電源和信號管理、邏輯、分立和定製解決方案組合,幫助設計工程師解決他們在汽車、通信、計算、消費、工業、LED 照明、醫療、軍事/航空航天和電源領域的獨特設計挑戰 供應應用。 onsemi 在北美、歐洲和亞太地區的主要市場運營響應迅速、可靠、世界一流的供應鏈和質量計劃,以及製造設施、銷售辦事處和設計中心網絡。

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FDP8030L Products
This N-Channel Logic Level MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. These MOSFETS feature faster switching and lower gate charge than other MOSFETS with comparable RDS(on) specifications. The result is a MOSFET that is easy and safer to drive (even at very high frequencies), and DC/DC power supply designs with higher overall efficiency.

Feature

  • 80A, 30VRDS(ON) = 0.0035 Ω@ VGS =10 VRDS(ON) = 0.0045 Ω @ VGS = 4.5 V
  • Critical DC electrical parameters specified at elevated temperature
  • Rugged internal source-drain diode can eliminate the need for an external Zener diode transient suppressor
  • High performance trench technology for extremelylow RDS(ON)
  • 175°C maximum junction temperature rating

Applications

  • This product is general usage and suitable for many different applications.
  • DC/DC power supply designs

產品屬性

類型 描述 全選
包裝 散裝
產品狀態 在售
FET 類型 N 通道
技術 MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss) 30 V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id) 80A(Ta)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值) 3.5 毫歐 @ 80A,10V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值) 2V @ 250µA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值) 170 nC @ 5 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值) 10500 pF @ 15 V
功率耗散(最大值) 187W(Tc)
工作温度 -65°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型 通孔
供應商器件封裝 TO-220-3
封裝/外殼 TO-220-3

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