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onsemi
onsemi 正在推動節能創新，幫助客户減少全球能源使用。 該公司提供全面的節能電源和信號管理、邏輯、分立和定製解決方案組合，幫助設計工程師解決他們在汽車、通信、計算、消費、工業、LED 照明、醫療、軍事/航空航天和電源領域的獨特設計挑戰 供應應用。 onsemi 在北美、歐洲和亞太地區的主要市場運營響應迅速、可靠、世界一流的供應鏈和質量計劃，以及製造設施、銷售辦事處和設計中心網絡。
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UItraFET® Trench MOSFET combine characteristics that enable benchmark efficiency in power conversion applications. The device is capable of withstanding high energy in the avalanche mode, and the diode exhibits very low reverse recovery time and stored charge. Optimised for efficiency at high frequencies, lowest RDS(on), low ESR, and low total and Miller gate charge.
Applications in high frequency DC to DC converters, switching regulators, motor drivers, low-voltage bus switches, and power management.
Feature
- 75A, 55V
- Simulation Models
- Temperature Compensated PSPICE® and SABER™Models
- Thermal Impedance PSPICE and SABER Models
- Peak Current vs Pulse Width Curve
- UIS Rating Curve
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Applications
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產品屬性
| 類型 | 描述 | 全選 |
|---|---|---|
| 不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值） | 3200 pF @ 25 V | |
| 不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值） | 210 nC @ 20 V | |
| 不同 Id 時 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA | |
| 不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值） | 8 毫歐 @ 75A，10V | |
| 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | |
| 封裝/外殼 | TO-247-3 | |
| 25°C 時電流 - 連續漏極 (Id) | 75A（Tc） | |
| 供應商器件封裝 | TO-247-3 | |
| 漏源電壓（Vdss） | 55 V | |
| 安裝類型 | 通孔 | |
| 技術 | MOSFET（金屬氧化物） | |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） | |
| FET 類型 | N 通道 | |
| 功率耗散（最大值） | 285W（Tc） | |
| Vgs（最大值） | ±20V | |
| 系列 | UltraFET™ | |
| 包裝 | 管件 | |
| 產品狀態 | 在售 |
部落格
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