MUN2114T1G

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對比
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MUN2114T1G
TRANS PREBIAS PNP 50V 100MA SC59
對比

¥1.14

價格更新:一個月前
現貨供應: 3498
45
為45個國家的客戶提供服務
1000+
全球製造商
$140M
5年增長1.4億美元
50.0M+
5年內配送了5000萬個元件
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onsemi 正在推動節能創新,幫助客户減少全球能源使用。 該公司提供全面的節能電源和信號管理、邏輯、分立和定製解決方案組合,幫助設計工程師解決他們在汽車、通信、計算、消費、工業、LED 照明、醫療、軍事/航空航天和電源領域的獨特設計挑戰 供應應用。 onsemi 在北美、歐洲和亞太地區的主要市場運營響應迅速、可靠、世界一流的供應鏈和質量計劃,以及製造設施、銷售辦事處和設計中心網絡。

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MUN2114T1G Products
This series of digital transistors is designed to replace a single device and its external resistor bias network. The Bias Resistor Transistor (BRT) contains a single transistor with a monolithic bias network consisting of two resistors; a series base resistor and a base-emitter resistor. The BRT eliminates these individual components by integrating them into a single device. The use of a BRT can reduce both system cost and board space.

Feature

  • Simplifies Circuit Design
  • Reduces Board Space
  • Reduces Component Count
  • S and NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AECQ101 Qualified and PPAP Capable
  • These Devices are PbFree, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant

產品屬性

類型 描述 全選
電流 - 集電極 (Ic)(最大值) 100 mA
供應商器件封裝 SC-59
電晶體類型 PNP - 預偏壓
封裝/外殼 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
產品狀態 在售
安裝類型 表面貼裝型
包裝 卷帶(TR)
功率 - 最大值 230 mW
電流 - 集電極截止(最大值) 500nA
不同 Ib、Ic 時 Vce 飽和壓降(最大值) 250mV @ 300µA,10mA
不同 Ic、Vce 時 DC 電流增益 (hFE)(最小值) 80 @ 5mA,10V
電阻器 - 發射極 (R2) 47 kOhms
電阻器 - 基極 (R1) 10 kOhms
電壓 - 集射極擊穿(最大值) 50 V

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