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General Description
This N-Channel Logic Level MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance.
These devices are particularly suited for low voltage applications such as notebook computer power management and other battery powered circuits where fast switching, low in-line power loss and resistance to transients are needed.
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產品屬性
| 類型 | 描述 | 全選 |
|---|---|---|
| 不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值） | 830 pF @ 15 V | |
| 不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值） | 22 nC @ 10 V | |
| 不同 Id 時 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA | |
| 不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值） | 28 毫歐 @ 7.3A，10V | |
| 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | |
| 封裝/外殼 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） | |
| 25°C 時電流 - 連續漏極 (Id) | 7.3A（Ta） | |
| 供應商器件封裝 | 8-SOIC | |
| 漏源電壓（Vdss） | 30 V | |
| 安裝類型 | 表面貼裝型 | |
| 技術 | MOSFET（金屬氧化物） | |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | |
| FET 類型 | N 通道 | |
| 功率耗散（最大值） | 2.5W（Ta） | |
| Vgs（最大值） | ±20V | |
| 包裝 | 散裝 | |
| 產品狀態 | 停產 |
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