NTMFS7D8N10GTWG datasheet
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NTMFS7D8N10GTWG onsemi
onsemi
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NTMFD4C88NT3G with pin details, that includes Tape & Reel (TR) Alternate Packaging Packaging, they are designed to operate with a 8-PowerTDFN Package Case, Technology is shown on datasheet note for use in a Si, it has an Operating Temperature range of -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type is designed to work in Surface Mount, as well as the 8-DFN (5x6) Supplier Device Package, the device can also be used as 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical FET Type. In addition, the Power Max is 1.1W, the device is offered in 30V Drain to Source Voltage Vdss, the device has a 1252pF @ 15V of Input Capacitance Ciss Vds, and FET Feature is Standard, and the Current Continuous Drain Id 25°C is 11.7A, 14.2A, and Rds On Max Id Vgs is 5.4 mOhm @ 10A, 10V, and the Vgs th Max Id is 2.2V @ 250μA, and Gate Charge Qg Vgs is 22.2nC @ 10V.
NTMFS4108N with user guide manufactured by ON. The NTMFS4108N is available in QFN Package, is part of the FETs - Single.
NTMFS4108NT with circuit diagram manufactured by ON. The NTMFS4108NT is available in DFN8 Package, is part of the FETs - Single.
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製造商零件編號 | 價格(¥) | 現有數量 | |
---|---|---|---|
NTMD4184PFR2GDUAL P-CHANNEL FETKY POWER MOSFE | 3.00 |
20000
市場 | |
NTMFD4C20NT1GMOSFET 2N-CH 30V SO8FL | 10.00 |
258
市場 | |
NTMD4N03R2MOSFET PWR N-CH DL 4A 30V 8SOIC | 1.30 |
2483
市場 | |
NTMD6N02R2GMOSFET 2N-CH 20V 3.92A 8SOIC | 2.80 |
10065
市場 | |
NTMD3P03R2GMOSFET 2P-CH 30V 2.34A 8SOIC | 4.00 |
10065
市場 | |
NTMD4184PFR2GMOSFET P-CH 30V 2.3A 8SOIC | 面議 |
8559
市場 | |
NTMFD4901NFT1GMOSFET 2N-CH 30V 8DFN | 4.00 |
3000
市場 |
DUAL P-CHANNEL FETKY POWER MOSFE
MOSFET 2N-CH 30V SO8FL
MOSFET PWR N-CH DL 4A 30V 8SOIC
MOSFET 2N-CH 20V 3.92A 8SOIC
MOSFET 2P-CH 30V 2.34A 8SOIC
MOSFET P-CH 30V 2.3A 8SOIC
MOSFET 2N-CH 30V 8DFN
類型 | 描述 | 全選 |
---|---|---|
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值) | 6180 pF @ 50 V | |
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值) | 92 nC @ 10 V | |
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 254µA | |
不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值) | 7.6 毫歐 @ 48A,10V | |
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V | |
封裝/外殼 | 8-PowerTDFN | |
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id) | 14A(Ta),110A(Tc) | |
供應商器件封裝 | 8-PQFN(5x6) | |
漏源電壓(Vdss) | 100 V | |
安裝類型 | 表面貼裝型 | |
技術 | MOSFET(金屬氧化物) | |
工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
FET 類型 | N 通道 | |
功率耗散(最大值) | 3W(Ta),187W(Tc) | |
Vgs(最大值) | ±20V | |
包裝 | 卷帶(TR) | |
產品狀態 | 在售 |
onsemi
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查看所有産品從 onsemiN-CHANNEL SHIELDED GATE POWERTRE
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
MOSFET P-CH 60V 196MA SOT23-3
MOSFET N-CH 25V 680MA SOT23
MOSFET N-CH 60V 310MA SC70
MOSFET N-CH 60V 1.7A SOT23-3
MOSFET P-CH 20V 400MA SOT23-3
MOSFET N-CH 60V 1.7A SOT23-3