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onsemi
onsemi 正在推動節能創新，幫助客户減少全球能源使用。 該公司提供全面的節能電源和信號管理、邏輯、分立和定製解決方案組合，幫助設計工程師解決他們在汽車、通信、計算、消費、工業、LED 照明、醫療、軍事/航空航天和電源領域的獨特設計挑戰 供應應用。 onsemi 在北美、歐洲和亞太地區的主要市場運營響應迅速、可靠、世界一流的供應鏈和質量計劃，以及製造設施、銷售辦事處和設計中心網絡。
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Feature
- Small Footprint (3.3 x 3.3 mm) for Compact Design
- Minimizes required PCB area
- Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses
- High Efficiency
- Low Capacitance to Minimize Driver Losses
- High Efficiency
Applications
- DC-DC Converters
- Low Side Switching
- Notebook Computers
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| 製造商零件編號 | 價格（￥） | 現有數量 | |
|---|---|---|---|
 NTST30100SGRECTIFIER DIODE, SCHOTTKY, 30A, | 6.06 |
173337
市場 | |
 NTST30100CTGDIODE ARR SCHOTT 100V 15A TO220 | 3.00 |
4939
市場 | |
NTST30100SGDIODE SCHOTTKY 100V 30A TO220 | 面議 |
7915
市場 | |
 NTS4001NT1GMOSFET N-CH 30V 270MA SC70-3 | 0.30 |
192800
市場 | |
 NTTFS4800NTAGMOSFET N-CH 30V 5A/32A 8WDFN | 3.71 |
100
市場 |
產品屬性
| 類型 | 描述 | 全選 |
|---|---|---|
| 不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值） | 2363 pF @ 12 V | |
| 不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值） | 29 nC @ 11.5 V | |
| 不同 Id 時 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA | |
| 不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值） | 5 毫歐 @ 20A，10V | |
| 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，11.5V | |
| 封裝/外殼 | 8-PowerWDFN | |
| 25°C 時電流 - 連續漏極 (Id) | 8.3A（Ta），69A（Tc） | |
| 供應商器件封裝 | 8-WDFN（3.3x3.3） | |
| 漏源電壓（Vdss） | 30 V | |
| 安裝類型 | 表面貼裝型 | |
| 技術 | MOSFET（金屬氧化物） | |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | |
| FET 類型 | N 通道 | |
| 功率耗散（最大值） | 660mW（Ta），46.3W（Tc） | |
| Vgs（最大值） | ±20V | |
| 包裝 | 卷帶（TR） | |
| 產品狀態 | 停產 |
部落格
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