NVMFS6H836NT3G

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NVMFS6H836NT3G
T8 80V SO8FL
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¥10.00

價格更新:一個月前
現貨供應: 3695
45
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全球製造商
$140M
5年增長1.4億美元
50.0M+
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onsemi 正在推動節能創新,幫助客户減少全球能源使用。 該公司提供全面的節能電源和信號管理、邏輯、分立和定製解決方案組合,幫助設計工程師解決他們在汽車、通信、計算、消費、工業、LED 照明、醫療、軍事/航空航天和電源領域的獨特設計挑戰 供應應用。 onsemi 在北美、歐洲和亞太地區的主要市場運營響應迅速、可靠、世界一流的供應鏈和質量計劃,以及製造設施、銷售辦事處和設計中心網絡。

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NVMFS6H836NT3G Products
ON Semiconductor NVMFS6H8x Power MOSFETs offer 80V, single N-channel, and small footprint for a compact design. These power MOSFETs are available in 2.1mΩ, 2.8mΩ, and 3.7mΩ RDS(on) resistance ranges. Features include low RDS(on) to minimize conduction losses, low QG, and low capacitance. The NVMFS6H8x power MOSFETs are RoHS compliant, PPAP capable, and AEC-Q101 qualified. These power MOSFETs operate at -55°C to 175°C operating temperature range.

Feature

  • Small Footprint (5x6 mm)
  • Compact Design
  • Low RDS(on)
  • Minimize Conduction Losses
  • Low QG and Capacitance
  • Minimize Driver Losses
  • NVMFS6H800NWF − Wettable Flank Option
  • Enhanced OpticalInspection
  • AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable
  • Automotive Qualified
  • RoHS Compliant

Applications

  • Switching power supplies
  • Power switches (High Side Driver, Low Side Driver, H-Bridges etc.)
  • 48V systems
  • Motor Control
  • Load Switch
  • DC/DC converter

產品屬性

類型 描述 全選
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值) 1640 pF @ 40 V
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值) 25 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值) 4V @ 95µA
不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值) 6.7 毫歐 @ 15A,10V
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
封裝/外殼 8-PowerTDFN,5 引線
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id) 15A(Ta),74A(Tc)
供應商器件封裝 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
漏源電壓(Vdss) 80 V
安裝類型 表面貼裝型
技術 MOSFET(金屬氧化物)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
FET 類型 N 通道
功率耗散(最大值) 3.7W(Ta),89W(Tc)
Vgs(最大值) ±20V
系列 Automotive, AEC-Q101
包裝 卷帶(TR)
產品狀態 在售

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