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IDT, Integrated Device Technology Inc.
Integrated Device Technology, Inc. 宣布于 2019 年 3 月成功完成对 Renesas 的收购。Integrated Device Technology, Inc. 开发可优化其客户应用的系统级解决方案。 IDT 在计时、无线电力传输、串行交换和接口方面的市场领先产品属于公司为通信、计算、消费、汽车和工业领域提供的广泛的完整混合信号解决方案。 IDT 总部位于加利福尼亚州圣何塞，在全球拥有设计、制造、销售设施和分销合作伙伴。 IDT 股票在纳斯达克全球精选股票市场® 交易，代码为“IDTI”。
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The 71V416YL12PHG 3.3V CMOS SRAM is organized as 256K x 16. All bidirectional inputs and outputs of the 71V416YL12PHG are LVTTL-compatible and operation is from a single 3.3V supply. Fully static asynchronous circuitry is used, requiring no clocks or refresh for operation.
Feature
- JEDEC Center Power / GND pinout for reduced noise.
- Equal access and cycle times
- – Commercial and Industrial: 10/12/15ns
- One Chip Select plus one Output Enable pin
- Bidirectional data inputs and outputs directly
- LVTTL-compatible
- Low power consumption via chip deselect
- Upper and Lower Byte Enable Pins
- Single 3.3V power supply
- Available in 44-pin, 400 mil plastic SOJ, 44-pin, 400 mil TSOP Type II, and 48-pin BGA packages
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产品属性
| 类型 | 描述 | 全选 |
|---|---|---|
| 包装 | 托盘 | |
| 产品状态 | 停产 | |
| 可编程 | 未验证 | |
| 存储器类型 | 易失 | |
| 存储器格式 | SRAM | |
| 技术 | SRAM - 异步 | |
| 存储容量 | 4Mb | |
| 存储器组织 | 256K x 16 | |
| 存储器接口 | 并联 | |
| 写周期时间 - 字，页 | 10ns | |
| 访问时间 | 10 ns | |
| 电压 - 供电 | 3V ~ 3.6V | |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C（TA） | |
| 安装类型 | 表面贴装型 | |
| 封装/外壳 | 48-TFBGA | |
| 供应商器件封装 | 48-CABGA（9x9） |
博客
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