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Infineon Technologies
1999 年 4 月 1 日，西门子半导体更名为英飞凌科技。 一家充满活力、更加灵活的公司，致力于在竞争激烈、瞬息万变的微电子世界中取得成功。 英飞凌是全球领先的半导体设计商、制造商和供应商，产品广泛用于各种微电子应用。 英飞凌的产品组合包括逻辑产品，包括数字、混合信号和模拟集成电路，以及分立半导体产品。
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HEXFET Power MOSFET
Applications
High Frequency Point-of-Load Synchronous Buck Converter for Applications in Networking & Computing Systems.
Benefits
Very Low RDS(on)at 4.5V VGS
Low Gate Charge
Fully Characterized Avalanche Voltage and Current
Feature
- RoHS Compliant
- Industry-leading quality
- Low RDS(ON) at 4.5V VGS
- Fully Characterized Avalanche Voltage and Current
- Ultra-Low Gate Impedance
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产品属性
| 类型 | 描述 | 全选 |
|---|---|---|
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1010 pF @ 15 V | |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 14 nC @ 4.5 V | |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA | |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 9.1 毫欧 @ 13A，10V | |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 13.6A（Ta） | |
| 供应商器件封装 | 8-SO | |
| 漏源电压（Vdss） | 30 V | |
| 安装类型 | 表面贴装型 | |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | |
| 工作温度 | -55°C ~ 155°C（TJ） | |
| FET 类型 | N 通道 | |
| 功率耗散（最大值） | 2.5W（Ta） | |
| Vgs（最大值） | ±20V | |
| 系列 | HEXFET® | |
| 包装 | 卷带（TR） | |
| 产品状态 | 停产 |
博客
深入探讨全球陶瓷电容器市场加入我们，一起探索全球陶瓷电容器市场中的最新趋势。
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