2SK3816-DL-1E datasheet
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2SK3816-DL-1E onsemi
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2SK3816-DL-1E with pin details, that includes 2SK3816 Series, they are designed to operate with a Reel Packaging, Unit Weight is shown on datasheet note for use in a 0.073511 oz, that offers Package Case features such as TO-262-3, Technology is designed to work in Si, as well as the 40 A Id Continuous Drain Current, the device can also be used as 60 V Vds Drain Source Breakdown Voltage. In addition, the Rds On Drain Source Resistance is 26 mOhms, the device is offered in N-Channel Transistor Polarity.
2SK3813-Z with user guide manufactured by NEC. The 2SK3813-Z is available in SOT-252 Package, is part of the IC Chips.
2SK3815-DL-E with circuit diagram manufactured by SANYO. The 2SK3815-DL-E is available in SOT263 Package, is part of the IC Chips.
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类型 | 描述 | 全选 |
---|---|---|
包装 | 卷带(TR) | |
产品状态 | 停产 | |
FET 类型 | N 通道 | |
技术 | MOSFET(金属氧化物) | |
漏源电压(Vdss) | 60 V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 40A(Ta) | |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4V,10V | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 26 毫欧 @ 20A,10V | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 40 nC @ 10 V | |
Vgs(最大值) | ±20V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 1780 pF @ 20 V | |
功率耗散(最大值) | 1.65W(Ta),50W(Tc) | |
工作温度 | 150°C(TJ) | |
安装类型 | 表面贴装型 | |
供应商器件封装 | TO-263-2 | |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB |
onsemi
onsemi 正在推动节能创新,帮助客户减少全球能源使用。 该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、分立和定制解决方案组合,帮助设计工程师解决他们在汽车、通信、计算、消费、工业、LED 照明、医疗、军事/航空航天和电源领域的独特设计挑战 供应应用。 onsemi 在北美、欧洲和亚太地区的主要市场运营响应迅速、可靠、世界一流的供应链和质量计划,以及制造设施、销售办事处和设计中心网络。
查看所有产品从 onsemiMOSFET N-CH 100V 8.9A/49A 8PQFN
MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
80A, 30V, 0.0035OHM, N-CHANNEL,
MOSFET P-CH 20V 3.7A 4WLCSP
MOSFET P-CH 30V 15.2A/28A 8PQFN
MOSFET N-CH 40V 53A/362A 5DFN
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
MOSFET P-CH 30V 4.9A SUPERSOT6
MOSFET N-CH 500V 9A D2PAK
MOSFET N-CH 200V 2.7A DPAK