2SK3816-DL-1E

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对比
onsemi
2SK3816-DL-1E
MOSFET N-CH 60V 40A TO263-2
对比

¥2.00

价格更新:一个月前
现货供应: 2027
45
为45个国家的客户提供服务
1000+
全球制造商
$140M
5年增长1.4亿美元
50.0M+
5年内配送了5000万个元件
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onsemi 正在推动节能创新,帮助客户减少全球能源使用。 该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、分立和定制解决方案组合,帮助设计工程师解决他们在汽车、通信、计算、消费、工业、LED 照明、医疗、军事/航空航天和电源领域的独特设计挑战 供应应用。 onsemi 在北美、欧洲和亚太地区的主要市场运营响应迅速、可靠、世界一流的供应链和质量计划,以及制造设施、销售办事处和设计中心网络。

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2SK3816-DL-1E Products

产品属性

类型 描述 全选
包装 卷带(TR)
产品状态 停产
FET 类型 N 通道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 40A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 26 毫欧 @ 20A,10V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 40 nC @ 10 V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1780 pF @ 20 V
功率耗散(最大值) 1.65W(Ta),50W(Tc)
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 TO-263-2
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

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