FDS8817NZ-G
对比
FDS8817NZ-G
30V N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET
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对比
￥2.86
价格更新：一个月前
现货供应：
27500
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onsemi
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This N–Channel MOSFET is produced using an advanced PowerTrench® process that has been especially tailored to minimize the on–state resistance. This device is well suited for Power Management and load switching applications common in Notebook Computers and Portable Battery Packs.
Feature
- Max rDS(on) = 7.0 mΩ at VGS = 10 V, ID = 15 A
- Max rDS(on) = 10 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 12.6 A
- HBM ESD protection level of 3.8kV typical (note 3)
- High performance trench technology for extremely low rDS(on)
- High power and current handling capability
- RoHS compliant
Applications
- This product is general usage and suitable for many different applications.
- Power Management
- Load Switch
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产品属性
| 类型 | 描述 | 全选 |
|---|---|---|
| 系列 | PowerTrench® | |
| 包装 | 卷带（TR） | |
| 产品状态 | 在售 | |
| FET 类型 | N 通道 | |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | |
| 漏源电压（Vdss） | 30 V | |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 15A（Ta） | |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 7 毫欧 @ 15A，10V | |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA | |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 45 nC @ 10 V | |
| Vgs（最大值） | ±20V | |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2400 pF @ 15 V | |
| 功率耗散（最大值） | 1W（Ta） | |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | |
| 安装类型 | 表面贴装型 | |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC | |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
博客
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