IRF7343TRPBF

IRF7343TRPBF

对比
IRF7343TRPBF
MOSFET N/P-CH 55V 8-SOIC
对比

¥1.45

价格更新:2024-05-27
现货供应: 68000
45
为45个国家的客户提供服务
1000+
全球制造商
$140M
5年增长1.4亿美元
50.0M+
5年内配送了5000万个元件
Infineon Technologies

Infineon Technologies

1999 年 4 月 1 日,西门子半导体更名为英飞凌科技。 一家充满活力、更加灵活的公司,致力于在竞争激烈、瞬息万变的微电子世界中取得成功。 英飞凌是全球领先的半导体设计商、制造商和供应商,产品广泛用于各种微电子应用。 英飞凌的产品组合包括逻辑产品,包括数字、混合信号和模拟集成电路,以及分立半导体产品。

查看所有产品从 Infineon Technologies
IRF7343TRPBF actual photo Pinout
Dual N/P-Channel Power MOSFET, Infineon

Infineon’s dual power MOSFETs integrate two HEXFET® devices to provide space-saving, cost-effective switching solutions in high component density designs where board space is at a premium. A variety of package options is available and designers can choose the Dual N/P-channel configuration.

Feature

• Dynamic dV/dt Rating • Repetitive Avalanche Rated • Fast Switching • Ease of Paralleling • Simple Drive Requirements • Lead (Pb)-free

产品属性

类型 描述 全选
系列 HEXFET®
包装 卷带(TR)
产品状态 在售
技术 MOSFET(金属氧化物)
配置 N 和 P 沟道
漏源电压(Vdss) 55V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 4.7A,3.4A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 50 毫欧 @ 4.7A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 36nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 740pF @ 25V
功率 - 最大值 2W
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装型
封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装 8-SO

博客

¥1.45

价格更新:2024-05-27
现货供应: 68000
Infineon Technologies

Infineon Technologies

1999 年 4 月 1 日,西门子半导体更名为英飞凌科技。 一家充满活力、更加灵活的公司,致力于在竞争激烈、瞬息万变的微电子世界中取得成功。 英飞凌是全球领先的半导体设计商、制造商和供应商,产品广泛用于各种微电子应用。 英飞凌的产品组合包括逻辑产品,包括数字、混合信号和模拟集成电路,以及分立半导体产品。

查看所有产品从 Infineon Technologies

博客