IRF7351TRPBF datasheet
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IRF7351TRPBF Infineon Technologies
Infineon Technologies
1999 年 4 月 1 日,西门子半导体更名为英飞凌科技。 一家充满活力、更加灵活的公司,致力于在竞争激烈、瞬息万变的微电子世界中取得成功。 英飞凌是全球领先的半导体设计商、制造商和供应商,产品广泛用于各种微电子应用。 英飞凌的产品组合包括逻辑产品,包括数字、混合信号和模拟集成电路,以及分立半导体产品。
查看所有产品从 Infineon TechnologiesInfineon’s dual power MOSFETs integrate two HEXFET® devices to provide space-saving, cost-effective switching solutions in high component density designs where board space is at a premium. A variety of package options is available and designers can choose the Dual N-channel configuration.
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类型 | 描述 | 全选 |
---|---|---|
系列 | HEXFET® | |
包装 | 卷带(TR) | |
产品状态 | 在售 | |
技术 | MOSFET(金属氧化物) | |
FET 功能 | 逻辑电平门 | |
配置 | 2 N-通道(双) | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 8A | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 17.8 毫欧 @ 8A,10V | |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 50µA | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 36nC @ 10V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 1330pF @ 30V | |
功率 - 最大值 | 2W | |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
安装类型 | 表面贴装型 | |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | |
供应商器件封装 | 8-SO |
Infineon Technologies
1999 年 4 月 1 日,西门子半导体更名为英飞凌科技。 一家充满活力、更加灵活的公司,致力于在竞争激烈、瞬息万变的微电子世界中取得成功。 英飞凌是全球领先的半导体设计商、制造商和供应商,产品广泛用于各种微电子应用。 英飞凌的产品组合包括逻辑产品,包括数字、混合信号和模拟集成电路,以及分立半导体产品。
查看所有产品从 Infineon TechnologiesMOSFET 2N-CH 60V 8A 8-SOIC
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