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Infineon Technologies
1999 年 4 月 1 日，西门子半导体更名为英飞凌科技。 一家充满活力、更加灵活的公司，致力于在竞争激烈、瞬息万变的微电子世界中取得成功。 英飞凌是全球领先的半导体设计商、制造商和供应商，产品广泛用于各种微电子应用。 英飞凌的产品组合包括逻辑产品，包括数字、混合信号和模拟集成电路，以及分立半导体产品。
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The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
Feature
- Optimized for broadest availability from distribution partners
- Product qualification according to JEDEC standard
- Optimized for 5V gate-drive voltage (called Logic level)
- Industry standard surface-mount package
- Capable of being wave-soldered
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产品属性
| 类型 | 描述 | 全选 |
|---|---|---|
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 382 pF @ 15 V | |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 2.6 nC @ 4.5 V | |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.3V @ 25µA | |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 27 毫欧 @ 5.2A，10V | |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 5.3A（Ta） | |
| 供应商器件封装 | Micro3™/SOT-23 | |
| 漏源电压（Vdss） | 30 V | |
| 安装类型 | 表面贴装型 | |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | |
| FET 类型 | N 通道 | |
| 功率耗散（最大值） | 1.3W（Ta） | |
| Vgs（最大值） | ±20V | |
| 系列 | HEXFET® | |
| 包装 | 卷带（TR） | |
| 产品状态 | 在售 |
博客
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