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onsemi
onsemi 正在推动节能创新，帮助客户减少全球能源使用。 该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、分立和定制解决方案组合，帮助设计工程师解决他们在汽车、通信、计算、消费、工业、LED 照明、医疗、军事/航空航天和电源领域的独特设计挑战 供应应用。 onsemi 在北美、欧洲和亚太地区的主要市场运营响应迅速、可靠、世界一流的供应链和质量计划，以及制造设施、销售办事处和设计中心网络。
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Feature
- 700 V @ TJ = 150 °C
- Higher system reliability at low temperature operation
- Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 61 nC)
- Lower switching loss
- Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss(eff.) = 544 pF)
- Lower switching loss
- Optimized Capacitance
- Lower peak Vds and lower Vgs oscillation
- Typ. RDS(on) = 79 mΩ
- 100% Avalanche Tested
- RoHS Compliant
Applications
- Telecommunication
- Cloud system
- Industrial
- Telecom power
- Server power
- EV charger
- Solar / UPS
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3050
市场 |
产品属性
| 类型 | 描述 | 全选 |
|---|---|---|
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2480 pF @ 400 V | |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 61 nC @ 10 V | |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 3mA | |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 99 毫欧 @ 15A，10V | |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | |
| 封装/外壳 | TO-247-3 | |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 30A（Tc） | |
| 供应商器件封装 | TO-247-3 | |
| 漏源电压（Vdss） | 650 V | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | |
| FET 类型 | N 通道 | |
| 功率耗散（最大值） | 227W（Tc） | |
| Vgs（最大值） | ±30V | |
| 系列 | SuperFET® III | |
| 包装 | 管件 | |
| 产品状态 | 不适用于新设计 |
博客
深入探讨全球陶瓷电容器市场加入我们，一起探索全球陶瓷电容器市场中的最新趋势。
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