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Feature
- Max rDS(on) = 1.1 mΩ at VGS = 10 V, ID = 32 A
- Max rDS(on) = 1.5 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 27 A
- Advanced Package and Silicon combination for low rDS(on) and high efficiency
- Next generation enhanced body diode technology, engineered for soft recovery
- MSL1 robust package design
- 100% UIL tested
- RoHS Compliant
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产品属性
| 类型 | 描述 | 全选 |
|---|---|---|
| 系列 | PowerTrench® | |
| 包装 | 卷带（TR） | |
| 产品状态 | 在售 | |
| FET 类型 | N 通道 | |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | |
| 漏源电压（Vdss） | 40 V | |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 36A（Ta），100A（Tc） | |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.1 毫欧 @ 32A，10V | |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA | |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 170 nC @ 10 V | |
| Vgs（最大值） | ±20V | |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 11110 pF @ 20 V | |
| 功率耗散（最大值） | 2.5W（Ta），104W（Tc） | |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | |
| 安装类型 | 表面贴装型 | |
| 供应商器件封装 | 8-PQFN（5x6） | |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
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