FDP3672

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对比
onsemi
FDP3672
MOSFET N-CH 105V 5.9A/41A TO220
对比

¥5.00

价格更新:一个月前
现货供应: 1250
45
为45个国家的客户提供服务
1000+
全球制造商
$140M
5年增长1.4亿美元
50.0M+
5年内配送了5000万个元件
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onsemi 正在推动节能创新,帮助客户减少全球能源使用。 该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、分立和定制解决方案组合,帮助设计工程师解决他们在汽车、通信、计算、消费、工业、LED 照明、医疗、军事/航空航天和电源领域的独特设计挑战 供应应用。 onsemi 在北美、欧洲和亚太地区的主要市场运营响应迅速、可靠、世界一流的供应链和质量计划,以及制造设施、销售办事处和设计中心网络。

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FDP3672 Products
N-Channel PowerTrench® MOSFET 105 V, 41 A, 33 mΩ

Feature

  • RDS(on) = 25mΩ (Typ.) @ VGS = 10V, ID = 41A
  • QG(tot) = 28nC (Typ.) @ VGS = 10V
  • Low Miller Charge
  • Low Qrr Body Diode
  • Optimized Efficiency at High Frequencies
  • UIS Capability (Single Pulse and Repetitive Pulse)

Applications

  • AC-DC Merchant Power Supply
  • AC-DC Merchant Power Supply - Servers & Workstations
  • AC-DC Merchant Power Supply - Desktop PC
  • Other Data Processing
  • Other Industrial
  • Other Automotive
  • Consumer Appliances
  • Synchronous Rectification
  • Battery Protection Circuit
  • Motor Drives
  • Uninterruptible Power Supplies
  • Micro Solar Inverters

产品属性

类型 描述 全选
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 1670 pF @ 25 V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 37 nC @ 10 V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 33 毫欧 @ 41A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 6V,10V
封装/外壳 TO-220-3
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 5.9A(Ta),41A(Tc)
供应商器件封装 TO-220-3
漏源电压(Vdss) 105 V
安装类型 通孔
技术 MOSFET(金属氧化物)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
FET 类型 N 通道
功率耗散(最大值) 135W(Tc)
Vgs(最大值) ±20V
系列 PowerTrench®
包装 管件
产品状态 在售

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onsemi 正在推动节能创新,帮助客户减少全球能源使用。 该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、分立和定制解决方案组合,帮助设计工程师解决他们在汽车、通信、计算、消费、工业、LED 照明、医疗、军事/航空航天和电源领域的独特设计挑战 供应应用。 onsemi 在北美、欧洲和亚太地区的主要市场运营响应迅速、可靠、世界一流的供应链和质量计划,以及制造设施、销售办事处和设计中心网络。

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