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Enhancement Mode Field Effect Transistors (FET) are produced using Fairchild’s proprietary, high cell density, DMOS technology. This high density process has been designed to minimise on-state resistance, provide rugged and reliable performance and fast switching.
Feature
- 2.7 A, 60 V. RDS(ON) = 0.2 Ω @ VGS = 10V
- High density cell design for extremely lowRDS(ON).
- High power and current handling capability in a widely used surface mount package.
Applications
- This product is general usage and suitable for many different applications.
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产品属性
| 类型 | 描述 | 全选 |
|---|---|---|
| 包装 | 卷带（TR） | |
| 产品状态 | 在售 | |
| FET 类型 | N 通道 | |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | |
| 漏源电压（Vdss） | 60 V | |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.8A（Ta） | |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 160 毫欧 @ 3.4A，10V | |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA | |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 5 nC @ 4.5 V | |
| Vgs（最大值） | ±20V | |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 214 pF @ 30 V | |
| 功率耗散（最大值） | 3W（Ta） | |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C（TJ） | |
| 安装类型 | 表面贴装型 | |
| 供应商器件封装 | SOT-223-4 | |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
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