NSBC114YPDXV6T1G

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对比
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NSBC114YPDXV6T1G
TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
对比

¥0.60

价格更新:一个月前
现货供应: 140000
45
为45个国家的客户提供服务
1000+
全球制造商
$140M
5年增长1.4亿美元
50.0M+
5年内配送了5000万个元件
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onsemi 正在推动节能创新,帮助客户减少全球能源使用。 该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、分立和定制解决方案组合,帮助设计工程师解决他们在汽车、通信、计算、消费、工业、LED 照明、医疗、军事/航空航天和电源领域的独特设计挑战 供应应用。 onsemi 在北美、欧洲和亚太地区的主要市场运营响应迅速、可靠、世界一流的供应链和质量计划,以及制造设施、销售办事处和设计中心网络。

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NSBC114YPDXV6T1G Products
This series of digital transistors is designed to replace a single device and its external resistor bias network. The Bias Resistor Transistor (BRT) contains a single transistor with a monolithic bias network consisting of two resistors; a series base resistor and a base-emitter resistor. The BRT eliminates these individual components by integrating them into a single device. The use of a BRT can reduce both system cost and board space.

Feature

  • Simplifies Circuit Design
  • Reduces Board Space
  • Reduces Component Count
  • S and NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable
  • These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant

产品属性

类型 描述 全选
电流 - 集电极截止(最大值) 500nA
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) 250mV @ 300µA,10mA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 80 @ 5mA,10V
电阻器 - 发射极 (R2) 47 千欧
电阻器 - 基极 (R1) 10 千欧
电压 - 集射极击穿(最大值) 50V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 100mA
供应商器件封装 SOT-563
晶体管类型 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
封装/外壳 SOT-563,SOT-666
产品状态 在售
安装类型 表面贴装型
包装 卷带(TR)
功率 - 最大值 500mW

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