STW58N60DM2AG datasheet
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STW58N60DM2AG STMicroelectronics
STMicroelectronics
STMicroelectronics 是一家全球性的独立半导体公司,是开发和提供跨微电子应用领域半导体解决方案的领导者。 硅和系统专业知识、制造实力、知识产权 (IP) 组合和战略合作伙伴的无与伦比的结合使公司处于片上系统 (SoC) 技术的前沿,其产品在实现当今融合趋势方面发挥着关键作用。
查看所有产品从 STMicroelectronicsThis high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh DM2 fast-recovery diode series. It offers very low recovery charge (Qrr) and time (trr) combined with low RDS(on), rendering it suitable for the most demanding high-efficiency converters and ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.
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制造商零件编号 | 价格(¥) | 现有数量 | |
---|---|---|---|
BYD77D,115DIODE AVALANCHE 200V 850MA MELF | 1.30 |
4951
市场 |
类型 | 描述 | 全选 |
---|---|---|
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 4100 pF @ 100 V | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 90 nC @ 10 V | |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 60 毫欧 @ 25A,10V | |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V | |
封装/外壳 | TO-247-3 | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 50A(Tc) | |
供应商器件封装 | TO-247-3 | |
漏源电压(Vdss) | 600 V | |
安装类型 | 通孔 | |
技术 | MOSFET(金属氧化物) | |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
FET 类型 | N 通道 | |
功率耗散(最大值) | 360W(Tc) | |
Vgs(最大值) | ±25V | |
系列 | Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ DM2 | |
包装 | 管件 | |
产品状态 | 在售 |
STMicroelectronics
STMicroelectronics 是一家全球性的独立半导体公司,是开发和提供跨微电子应用领域半导体解决方案的领导者。 硅和系统专业知识、制造实力、知识产权 (IP) 组合和战略合作伙伴的无与伦比的结合使公司处于片上系统 (SoC) 技术的前沿,其产品在实现当今融合趋势方面发挥着关键作用。
查看所有产品从 STMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 50A TO247
MOSFET N-CH 800V 12A TO220FP
MOSFET N-CH 800V 14A TO220FP
MOSFET N CH 620V 3.8A I2PAKFP
MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220FP
MOSFET N-CH 600V 9A I2PAKFP
MOSFET N-CH 800V 5A I2PAKFP
MOSFET N-CH 650V 10A I2PAKFP
MOSFET N-CH 600V 11A I2PAKFP
MOSFET N-CH 800V 7A I2PAKFP