STW58N60DM2AG

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对比
STW58N60DM2AG
MOSFET N-CH 600V 50A TO247
对比

¥110.00

价格更新:一个月前
现货供应: 57292
45
为45个国家的客户提供服务
1000+
全球制造商
$140M
5年增长1.4亿美元
50.0M+
5年内配送了5000万个元件
STMicroelectronics

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STMicroelectronics 是一家全球性的独立半导体公司,是开发和提供跨微电子应用领域半导体解决方案的领导者。 硅和系统专业知识、制造实力、知识产权 (IP) 组合和战略合作伙伴的无与伦比的结合使公司处于片上系统 (SoC) 技术的前沿,其产品在实现当今融合趋势方面发挥着关键作用。

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STW58N60DM2AG Products

This high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh DM2 fast-recovery diode series. It offers very low recovery charge (Qrr) and time (trr) combined with low RDS(on), rendering it suitable for the most demanding high-efficiency converters and ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.

Feature

  • AEC-Q101qualified
  • Fast-recoverybodydiode
  • Extremelylowgatechargeandinputcapacitance
  • Lowon-resistance
  • 100%avalanchetested
  • Extremelyhighdv/dtruggedness
  • Zener-protected

产品属性

类型 描述 全选
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) 4100 pF @ 100 V
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) 90 nC @ 10 V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) 60 毫欧 @ 25A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
封装/外壳 TO-247-3
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 50A(Tc)
供应商器件封装 TO-247-3
漏源电压(Vdss) 600 V
安装类型 通孔
技术 MOSFET(金属氧化物)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
FET 类型 N 通道
功率耗散(最大值) 360W(Tc)
Vgs(最大值) ±25V
系列 Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ DM2
包装 管件
产品状态 在售

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